一、指南方向与内容

        1. 新型电子材料与器件

        1.1 第三代半导体材料及应用

        1.1.1 高质量第三代半导体材料关键技术

       开展第三代半导体材料大尺寸、低成本、高质量衬底制备和外延技术研究，突破相关核心关键技术，满足高温、高频、高效大功率器件研制的需求。

       1.1.2 第三代半导体器件制备及评价技术

       开展第三代半导体芯片制备、器件封装技术和工艺研究，开发低成本批量生产技术，研究材料和组件失效机理与寿命快速评价方法，满足高效新型大功率电力电子、通信、光电等领域的应用需求。

        1.2 新型存储材料与器件

        1.2.1 新型超高密度存储与磁电子材料

       开展相变存储器和磁随机存储器关键材料与器件研究，发展磁电子材料与器件技术。相变存储器在移动互联网等领域获得应用；磁随机存储器与磁电子材料关键技术实现突破。

        2. 材料设计制备与安全服役

        2.1 材料的设计、制备与表征

        2.1.1 材料高通量设计、制备与表征技术

       研究材料高通量、多层次跨尺度一体化设计、高效制备和表征的新方法和新技术，开发面向材料设计的数据挖掘技术与数据平台，实现材料成分、组织和性能的精确调控，在新型功能材料、高性能结构材料的研究开发方面获得实际应用。

        2.2 材料的安全服役和高效利用

        2.2.1 材料全寿命周期设计制备技术与服役行为

       研究材料在各种复杂环境条件下的服役行为、失效机理及其寿命预测、评价和延寿技术，开发材料全寿命周期生态设计制备技术，实现材料的高效利用、低环境负荷与资源消耗。

        3. 新型显示

        3.1 柔性及超高分辨率显示

        3.1.1 柔性显示技术

       研究柔性显示的基板材料、发光与显示材料、薄膜封装材料，突破器件设计、功能膜层制备等关键技术，开发30英寸、弯曲半径小于100mm的全彩色高画质柔性显示屏，满足显示产业应用需求。

        3.1.2 超高分辨率显示关键技术

       研发快速响应显示材料和高精细彩色滤光膜，突破TFT制备、多区域动态背光扫描、液晶透镜等关键技术，开发出8k×4k超高分辨率显示面板，攻克整机集成技术并形成工程化能力。

        4. 新型功能与智能材料

        4.1 生物医用材料

        4.1.1 新型生物医用植入材料技术

       开展新型轻质高强可控降解植入材料、高性能假体用材料，以及适应新型临床治疗技术发展的新一代骨和口腔修复材料研究，完成制品临床前评价。

        5. 先进结构与复合材料

        5.1 高分子结构材料

        5.1.1 新型高分子结构及其复合材料

       研发分子结构可控的高强、高韧、高模、耐温、耐磨、环境友好的高分子结构与复合材料；突破薄膜和泡沫专用料及新型树脂的制备技术，在相关领域获得应用。

 

        二、指南申报要求

        1.实施年限

        项目实施年限原则上为3年。

        2.申报说明

       本指南申报方向均为前沿技术类。须按指南三级标题（如：1.1.1）的研究方向进行项目申报，可针对其中的部分研究内容申报，每个项目的国拨经费控制额不超过1000万元。

        3.申报咨询

        联系人：史冬梅、蒋志君

        电  话：010-68338021、68338919

 

 

 

 

转自：中华人民共和国科学技术部